| 0
- 22.04.2015 - 22:53
|
Компании Micron Technology, Inc. и Intel объявили о готовности выпуска флеш-памяти с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти по технологии 3D NAND. Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность. Новая технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБайт для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБайт данных. Так как более высокая емкость обеспечивается за счет установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных. Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память. «Сотрудничество Micron и Intel позволило создать ведущую в отрасли твердотельную технологию хранения данных, которая обеспечивает высокую плотность размещения ячеек, высокую производительность и эффективность и значительно превосходит по рабочим характеристикам флеш-память. Технология 3D NAND имеет большой потенциал для того, чтобы коренным образом изменить рынок памяти», – сказал вице-президент по технологиям памяти компании Micron Technology Брайан Ширли. «Технологическое сотрудничество Intel и Micron отражает наше стремление предложить на рынке передовые технологии энергонезависимой памяти. Преимущества более высокой плотности и экономии, обеспечиваемые нашей новой технологией 3D NAND, ускорят внедрение твердотельных решений для хранения данных», – сказал старший вице-президент и руководитель подразделения Non-Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel Роб Крук. MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся уже весной. Пробные пуски производственной линии уже начались, серийное производство новой продукции запланировано на IV кв. этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твердотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году. http://www.sibir-ix.ru/page/3748     | | ||
| 41
- 30.04.2015 - 17:44
| Цитата:
Цитата:
Поймите, я прихожу сюда, чтобы поупражняться в словесных конструкциях и получить удовольствие от процесса. Поставьте себя на мое место. Вам бы было интересно общаться с таким, как вы? Мне - нет. Научитесь не только спрашивать, но и отвечать. Ну и плюс - аргументировать то, что пишете. | | ||
| 42
- 30.04.2015 - 18:21
|
э.... вот стоп стоп стоп цытата №1 если я правильно понял, то ваше, непонятно на чем основаное утверждение: >вы уже работали лаборанткой подпадает под определение о конструктиве цытата №2 Как вас зацепило. Неужели я угадал? внимание вопрос: это вы так невзначай "теряете" суть? вы что, совсем безмозглое существо, или нас таковыми считаете? | | ||
| 43
- 30.04.2015 - 18:24
|
о, вспомнил! Дженифер Псаки вот кого вы мне напоминаете | | ||
| 44
- 30.04.2015 - 18:52
|
если уж совсем непонятно) ДДМ, будьте добры изложите определение конструктивности | |
Интернет-форум Краснодарского края и Краснодара |
